2.5. Группа FET — полевые транзисторы
Раздел FET содержит полевые
транзисторы в следующем составе.
Полевые транзисторы
с управляющим р—га-переходом (тип).
Полевые МОП-транзисторы
с изолированным затвором п-канальные с обогащенной подложкой ир-канальные с
обедненной подложкой, с раздельными или соединенными выводами подложки и истока
(тип).
Полевые МОП-транзисторы
с изолированным затвором ге-канальные с обогащенным затвором и р-канальные с
обедненным затвором, с раздельными или соединенными выводами подложки и истока
(тип).
|
