статический коэффициент
передачи тока биполярного транзистора в схеме с
общим эмиттером; в справочнике приводятся
минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток
(Iк) при котором этот параметр определяется
Fт
предельная частота
коэффициента передачи тока биполярного
транзистора
Cк/Uк
емкость коллекторного
перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при
котором она измеряется
Cэ/Uк
емкость эмиттерного перехода
(Cэ) и напряжение на коллекторе (Uэ), при котором
она измеряется
Rб*Cк
постоянная времени цепи
обратной связи на высокой частоте биполярного
транзистора
tр
время рассасывания
биполярного транзистора
Uкэ(Iк/Iб)
напряжение насыщения
коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора
при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе
базы (Iб)
Uсм
напряжение смещения нуля при
дифференциальном включении транзисторов сборки
B1/B2
соотношение статических
коэффициентов передачи тока биполярных
транзисторов в сборке. Характеризует
идентичность транзисторов
Iко
обратный ток коллектора
Uкб
максимально допустимое
постоянное напряжение коллектор-база
Uэб
максимально допустимое
постоянное напряжение эмиттер-база
Uкэ/R
максимально допустимое
постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при
заданной величине сопротивления, включенного
между базой и эмиттером (R)
Iкм/Iкнас
предельно допустимый
постоянный (Iкм) ток коллектора предельно
допустимый ток коллектора в режиме насыщения
(Iкнас) или в импульсе
Pк
максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе
Pк
максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе
без теплоотвода
Пер
тип перехода транзистора
Цок
номер рисунка с расположением
выводов
Если приводится два
значения параметра через черточку, это означает
минимальное и максимальное значение.