2.5. Характеристики микросхем электронного набора номера
В таблицах 2.7 и 2.8 приведены
основные параметры ряда зарубежных и отечественных микросхем ЭНН, наиболее часто
применяемых в ТА.
Сокращения принятые в таблицах:
Uик. защ. -
предельное напряжение внутреннего защитного стабилитрона ИС, установленного
на выходе ИК (прочерк означает отсутствие защиты).
Iвн. cm. - ток внутреннего
источника опорного напряжения питания ИС, равного 3 В. Максимальный ток стабилитрона
- 7 - 10 мА. При этом токе напряжение на стабилитроне может достигать 5,5 В
(прочерк означает отсутствие внутреннего стабилитрона).
Icmam. - ток, потребляемый
микросхемой в статическом режиме.
.
Iдин.
- ток, потребляемый микросхемой в динамическом режиме (во время набора номера).
Напряжение питания практически
всех ИС ЭНН составляет 2,6 - 5,5 В. Параметры 'Icmam. и 1дин..
даны для U - 3 В, ненагруженных выходах ИС и отключенном общем выводе внутреннего
источника опорного напряжения, если он имеется. Знаком "*" помечены
те параметры, которые даны для U - 5 В.
ОЗУ, знаков - количество
знаков последнего набранного номера, которое может быть сохранено.
Доп. ОЗУ - для ИС,
имеющих дополнительную память. Количество номеров, которое может быть сохранено
и вызвано посредством функциональных клавиш (прочерк означает отсутствие дополнительной
памяти). Количество знаков в номере, как правило, не соответствует количеству
знаков, запоминаемых в последнем набранном номере. В большинстве ИС ЭНН количество
знаков номера в дополнительной памяти не превышает 16.
Тип выхода - схемотехническое
решение организации выхода импульсного (ИК) и разговорного (РК) ключей.
ОС - выход с открытым
стоком (рис. 2.1,о).
Л - логический выход (рис.
2.1, в).
Л1 - логический выход РК,
формирующий низкий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.21,
ИС КР1008ВЖ10).
Л2 - логический выход РК,
формирующий низкий уровень на период набора одного знака (пример - рис. 2.20
ИС КР1008ВЖ12).
ЛЗ - логический выход РК,
формирующий высокий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.19
ИС КР1008ВЖ17).
M/S - значение импульсного
коэффициента в зависимости от логического состояния входа M/S ("0"
или "1").
IPS - значение длительности
межсерийной паузы в мс в зависимости от логического состояния входа IPS.
DRS - значение частоты
набора в Гц в зависимости от логического состояния входа DRS.
MODE - режим работы
микросхемы "Р"- импульсный, "Т"- частотный, в зависимости
от логического состояния на входе.
Если в графе "выходные
параметры ИК при логическом состоянии входов" приведено одно значение,
то в этой ИС отсутствует вход управления данным параметром и он в микросхеме
жестко определен (прочерк означает отсутствие данного режима).
На рис. 2.10 + 2.13 приведены
цоколёвки микросхем как зарубежного, так и отечественного производства.
На рис. 2.18 приведены
схемы подключения времязадающих элементов генератора ИС ЭНН. Кварцевый резонатор
на частоту 3,579545 МГц, который используется в большинстве зарубежных ИС ЭНН,
применяется в декодерах цветных телевизоров системы NTSI, вследствие чего получил
большое распространение и является самым недорогим из стандартных кварцевых
резонаторов.
На рис. 2.19 - 2.21 приведены
временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей микросхем
ЭНН. Различия выходных сигналов определяются отнюдь не страной - производителем,
а принципом построения ИС для ее использованием в той или иной схеме.
Табл. 2.7. Характеристики микросхем
номеронабирателей.
Тип ИС
Номер рис.
Номер рис. гевра
Кол-во выводов
Uик защ. В
Iвн.cm., мА
Icmаm. мкА
Iдин. мкА
При U = 3 В
CIC9102E
2.10,в
2.18,р
18
7,5
-
12
12
CIC9104E
2.10,е
2.18.р
16
7,5
-
12
12
CIC9145E
2.13,6
2.18.л
22
-
-
0,2*
600*
CIC9192BE
2.10,г
2.18,а
16
25
0,12
25
40
ЕТ40982
2.10,д
2.18,з,и
16
22
0,8
40
110
ЕТ40992
2.10,а
2.18,0
18
22
0,8
25
40
FT58C51
2.10,а
2.18,6
18
17
0,7
0,1
19
HD970040D
2.10,д
2.18,з,и
16
22
0,8
35
100
HD970019-L
2.10,з
2.1S.M
16
-
-
45
550
НМ9100А1
2.10,0
2.18,0
18
25
0,6
15
35
НМ9100В
2.10,ж
2.18,в
16
28
-
15
35
НМ9102
2.11,а
2.18,н
18
-
-
10
300
HM9110D
2.11,0
2.18.н
18
-
-
15
350
НМ9112А
2.13,6
2.18,л
22
-
-
0,2*
600*
НМ9113А
2.13,6
2.18.л
22
-
-
0,2*
600*
НМ9121
2.13,а
2.18,n
28
-
-
10
400
НМ91650В
2.13,e
2.l8,м
22
-
-
0,4*
1200*
НМ9187
2.10.з
2.18,м
16
-
-
0,5
600
HT9102F
2.11,е
2.18,л
18
-
-
0,5
400
НТ9115В
2.13,e
2.18,м
22
-
-
0,4*
1200*
KS5804
2.10,з
2.l8,u
16
22
0,8
20
100
KS5805A
2.10,а
2.18,а
18
30
0,5
20
35
KS5806B
2.10,б
2.18,б
18
30
-
0,5
20
KS58C05
2.10,а
2.18,а
18
3,6
0.7
0,5
20
KS58006
2.11,а
2.18.н
18
-
-
10
100
KS5820
2.11,а
2.18,н
18
-
-
0,5
200
KS58C20N
2.11,а
2.18,н
18
-
-
0,5
200
KS5851
2.10,а
2.18,б
18
17
0,7
0,1
20
KS5853
2.10,ж
2.18,г
16
28
-
0,2
20
LC7350
2.11,б
2.18,н
18
-
-
3
100
LR40981A
2.10.д
2.18,з,и
16
25
0,7
50
90
LR40992
2.11,а
2.18,а
18
30
0,5
20
35
LR40993
2.10,б
2.18,а
18
30
-
0,5
20
М2561АВ
2.11,б
2.18,г
18
-
-
3
105
МС145412Р
2.11,д
2.18,м
18
-
-
5
120
МК50981
2.10,д
2.18,з,к
16
22
0,7
30
100
MK5092N
2.10,3
2.18,м
16
-
-
45
550
MK50992N
2.10,а
2.18,о
18
30
0,5
20
35
МК50993
2.10,6
2.18,о
18
30
-
0,5
20
MK5173AN
2.10,9
2.18,з.и
18
22
0,8
40
100
S2560A
2.11,6
2.18,г
18
-
-
0.3
300
825810
2.11,6
2.18,г
18
-
-
0,3
300
87210А
2.10,u
2.18,л
16
-
-
3
80
STC52560C
2.11,б
2.18,г
18
-
-
0,2
200
Т40992
2.10,а
2.18,а
18
30
0,5
20
35
Т40993
2.10,6
2.18,а
18
30
-
0,5
20
ТС31006Р
2.11,г
2.18.к
18
-
-
170
170
TR50981AN
2.10,д
2.18.з.u
16
22
0,8
40
110
UM91210C
2.11,а
2.18.к
18
-
-
0,2
190
UM91260C
2.11,а
2.18,к
18
15
-
60
180
UM9151
2.10,в
2.18,р
18
7,5
—
12
12
UM9151-3
2.10,е
2.18,р
16
7,5
-
12
12
UM91610A
2.11,в
2.18,в
18
-
-
3
90
UM91611
2.11,6
2.18,г
18
-
-
3
105
VT91611
2.11,6
2.18,г
18
-
-
3
105
VT9145
2.13,6
2.18,л
22
-
0,2*
500*
W9145
2.13,6
2.18,л
22
-
-
0,2*
600*
WE9102
2.10,e
2.18,р
18
7,5
-
12
12
WE9104
2.10,е
2.18,р
18
7,5
-
12
12
WE9110
2.11,6
2.18,г
18
-
-
3
95
WE9192B
2.10,г
2.18,а
16
25
0,12
25
40
К145ИК8П
2.12,6
4.2
40
-
-
150*
300*
КР1002ХЛ2
2.12,ж
2.18.с
16
-
-
0,5
10
КР1008ВЖ1
2.11,ж
2.18,m,y
22
-
-
3
50
КР1008ВЖ2
2.12,а
2.18,ж
48
-
-
25
60
КР1008ВЖ5
2.11,з
2.18,е
22
-
-
2
15
КР1008ВЖ6
2.11.u
2.18,о
22
-
-
30
100
КРЮ08ВЖ7
2.11,з
2.18,е
22
-
-
2
15
КР1008ВЖ10
2.10,а
2.18,6
18
17
0,7
0,1
20
КР1008ВЖ11
2.10,а
2.18,а
18
30
0,5
20
35
КС1008ВЖ12
2.12,г
2.18,з
18
-
-
60
175
КР1008ВЖ14
2.10,г
2.18,а
16
25
0,12
2S
40
КР1008ВЖ15
2.12,е
2.18,а
16
25
0,12
25
40
КР1008ВЖ16
2.11,а
2.18.н
18
-
-
10
100
КР1008ВЖ17
2.10,е
2.18,р
16
7,5
-
12
12
КР1064ВЖ5
2.11,з
2.18,е
22
-
-
2
15
КР1064ВЖ7
2.11,з
2.18,е
22
-
-
2
15
КРЮ83ВЖЗ
2.12,д
2.18,m,y
20
-
-
3
50
КР1089ВЖ1
2.12,в
2.18,e
24
-
—
2
20
КР1089ВЖ2
2.12,в
2.18,е
24
-
-
2
20
КР1091ВЖ1
2.11,а
2.18,к
18
15
-
60
180
Табл. 2.8. Характеристики микросхем
номеронабирателей.
ТипИС
ОЗУ знаков
Доп. ОЗУ номеров
Тип
выхода
Выходные параметры ИК ИС при логическом
состоянии входов
