О включении ЗП
Для того, чтобы обратить
внимание на какое-то особое состояние электронного устройства, в него вводят,
как правило, тональный 
Рис. 112.
Парафазное возбуждение ЗП
генератор с пьезоизлучателем
типа ЗП на выходе. Но при обычном включении пьезоизлучателя - между нулевой
шиной и выходом тонального генератора — громкость его звучания редко бывает
достаточной, особенно - в низковольтной аппаратуре.
На рис. 112 приведена схема
звукового генератора с парафазньш возбуждением ЗП, при котором мощность акустического
сигнала увеличивается вчетверо.
.
Частота генератора f@0,5·10^6/
(R1+R2)C1 (R - в кОм, С1 - в нФ, f - в Гц) регулировкой резистора R2 может быть
выведена на fрез - частоту механического резонанса пьезоизлучателя, что также
заметно скажется на громкости его звучания.
Собранный на логических
элементах КМОП-микросхем серий К 176, К561, 564 и др., генератор может быть
настроен в резонанс практически с любым пьезоизлучателем. Он быстро возбуждается,
формируя, при необходимости, и 3…5-миллисекундные «щелчки».
Ток, потребляемый генератором
в паузе (на входе - 0), составляет доли микроампера, при возбуждении (на входе
- 1) - 1…2 мА.
Отдача ЗП заметно увеличится,
если он будет отделен от возбудителя буферными элементами. Это связано с улучшением
условий возбуждения генератора, уменьшением длительности его фронтов. В качестве
буферных могут быть использованы свободные элементы той же микросхемы, но лучше
взять КМОП-элементы с низкоомными каналами, например, инверторы микросхемы К561ЛН2
(рис. 113). Генератор с еще более низкоомным выходом можно построить так, как
показано на рис. 114.
Мощность сигнала, излучаемого
ЗП, возрастет еще, если последовательно с ним включить катушку индуктивности
L1 (на рис. 113 и 114 показана пунктиром).
Рис. 113.
Генератор с буферными элементами 
Рис. 114.
Генератор повышенной мощности
Если L1 выбрать так, чтобы
на частоте механического резонанса возник и электрический резонанс (по электрическим
характеристикам ЗП близок к конденсатору емкостью 30…100 нФ), т.е. взять L1@2,5·10^10
/ (fрез^2)·Cзп где: L1 - в мГн; Сзп - емкость ЗП - в нФ, fрез - в Гц, то напряжение
на ЗП может Значительно превысить напряжение питания микросхем с соответствующим
увеличением излучаемой им мощности Рвых (Рвых пропорциональна квадрату напряжения,
прилаженного к ЗП). Этот эффект будет особенно заметен в генераторах, имеющих
малое выходное сопротивление, поскольку оно входит в последовательный L1Cзп
- контур и, наряду с потерями на излучение, определяет его добротность.
|
