Управляемый делитель на p-i-n диодах
(Шульгин
Г., Радио, 1980, №9. с. 19)
Для электронной коммутации
высокочастотных цепей применяют p-i-n диоды, собственное сопротивление которых
в очень широких пределах зависит от протекающего через диод постоянного тока
(тока смещения). Так, например, диоды КА509А при токе смещения Iсм =50 мА имеют
динамическое сопротивление 0,25 Ом, а при Iсм =0 оно возрастает до сотен килоом.
При этом динамическая емкость диода составляет 0,6…1 пФ. Такие характеристики
p-i-n диодов позволяют им соперничать с обычными механическими переключателями
(не считая, разумеется, возможности управлять ими на расстоянии).
Но p-i-n диоды можно использовать
и в «плавных» ВЧ регуляторах. Принципиальная схема высокочастотного делителя
напряжения, работающего в АРУ любительского трансивера, в его ВЧ и ПЧ цепях,
изображена на рис. 133.
.
Рис. 133.
Управляемый высокочастотный делитель на p-i-n диодах
В обычном состоянии (в
режиме максимального усиления канала) транзистор V5 закрыт и ток, протекающий
через p-i-n диоды V1 и V2, выводит их в режим минимального динамического сопротивления.
При нагрузке Rн=1 кОм и токе в диодах 3 мА ослабление, которое внесет этот делитель
на частоте 9 Мгц, составит 0,5 дб. А при Rн=75 Ом и токе 10 мА оно будет равно
1 дб на частотах от 1 до 30 Мгц.
По мере открывания транзистора
V5 (напряжением АРУ) появляется и увеличивается ток в шунтирующих ВЧ сигнал
p-i-n диодах V3 и V4 и уменьшается в проходных V1 и V2. Увеличение проходного
сопротивления и уменьшение шунтирующего ведет к уменьшению ВЧ напряжения на
выходе делителя. Максимальное его ослабление почти не зависит от сопротивления
нагрузки и составляет 60 дб на частотах от 1 до 30 МГц
В делителе используются
резисторы МЛТ-0,5, конденсаторы С1, СЗ-С9 - КМ-5, С2 - К53-1, дроссели L1-L3
- ДМ-0,1. При пайке p-i-n диода нужно обеспечить надежный отвод тепла от его
корпуса.
Все элементы делителя размещают
на печатной плате, которую тщательно экранируют.
|
