Разработка полупроводниковых
инфракрасных излучателей - ИК диодов - одно из самых значительных достижений
полупроводниковой
Таблица
ПЗ
1
2
3
4
5
6
7
АЛ107Г
12(100)
0,94-0,96
2(100)
100
2
25(0.8)
АЛ115В
9(100)
1/0;6
0,9-1
1,8(50)
600*
4
30(0,8)
AЛ119A
40(300)
1/1,5
0,93-0,96
3(300)
300
-
-
АЛ119В
25(300)
0,35/1,5
0,93-0,96
3(300)
300
-
-
АЛ123А
500(10000)*
0,35/0,5
0,94
2(300')
400
0
ЗЛ130А
350(3000)*
1,5/1,5
0,95
3(3000)
300
1
АЛ144А
20(100)
-
0,93-0,98
2(100)
150*
1
50
АЛ145Д
20(100)
-
0,93-0,98
1,6(100)
1100*
-
40
АЛ147А
16/ср(100)
0,3/0,3
0,85-0,89
1,8(100)
1500*
-
40
АЛ156В
12(100)
0,1/0,1
0,82-0,9
1,8(100)
2500*
3
20(0,8)
АЛ162А
100/ср(100)
0,3/0,3
0,85-0,89
1,8(100)
1500*
-
-
АЛ163А
11(100)
0.05/0,05
0.82-0,9
2(100)
1000*
3
70(0,8)
АЛ165Б
15(100)
-
0,87
2(100)
2500*
3
20(0,8)
АЛ168В
400/ср(80)
-
0,85-0,9
1,6(80)
1500*
2
-
АЛ170А
16/ср(40)
0,5/0,5
0,85-0,89
2,3(700)*
1000*
-
20(0,5)
АЛ170Б
40/ср(40)
0,5/0,5
0,85-0,89
2,3(700)*
1000*
-
10(0,5)
АЛ170В
100/ср(40)
0,5/0,5
0,85-0,89
2,3(700)*
1000*
-
4(0,5)
техники последних лет. Появился
компактный, высокоэффективный, быстродействующий источник инфракрасного излучения,
способный сконцентрировать в очень короткой вспышке мощность, многократно превышающую
мощность непрерывного его излучения.
Параметры некоторых ИК
диодов отечественного производства приведены в таблице П3 [5].
1 - излучаемая мощность
Ре, мВт или мВт/ср (при токе в диоде в мА);
.
2 - время нарастания/спада
излучаемой мощности (0,1…0,9Рmax),мкс;
3 - длина волны, соответствующая
максимальному излучению, мкм;
4 - падение напряжения
на диоде, В (при токе, мА);
5 - максимальный ток в
диоде, мА;
6 - максимальное обратное
напряжение, В;
7 - угол излучения, в градусах
(по уровню Ре max/2);
К таблице П3:
1. Спектральные характеристики
ИК диодов имеют один максимум - Dl- в интервале длин
волн 0,87…0,96 мкм..
2. Пространственная плотность
излучения измеряется в милливаттах на стерадиан (мВт/ср).
3. Для измерения силы излучения
пользуются и другой единицей - милликавделой (мКд). Их соотношение: 1 мКд -
1,683 мВт/ср.
4. При повышении температуры
lmax диода смещается в сторону длинных волн.
